报告介绍了镓未来35mR/650V TO-247-4L氮化镓功率器件的封装设计方法。对比35mR/650V TO-247-3L氮化镓功率器件,测试了硬开关时的关键开关波形,驱动波形尖峰和震荡明显改善;转换效率进一步提升,温升明显降低。镓未来TO-247-4L氮化镓功率器件继续保留了紧凑级联型氮化镓器件的核心优点,包括最可靠的栅极耐压特性、高达3.5V的阈值开通电压、更低的反向导通压降以及强大的散热能力。镓未来TO-247-4L氮化镓功率器件的综合性能代表了650V耐压硅基、碳化硅基MOSFET和氮化镓同类封装的行业最高水平。